Name: IMW65R020M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW65R020M2HXKSA1-ND
Price: 162.9 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IMW65R020M2HXKSA1
DigiKeys produktnummer	448-IMW65R020M2HXKSA1-ND
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IMW65R020M2HXKSA1
Beskrivning	SILICON CARBIDE MOSFET
Tillverkarens standardleveranstid	23 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 650 V 83 A (Tc) 273W (Tc) Genomgående hål PG-TO247-3-40
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ Gen 2
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)	650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	83 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	15V, 20V
Rds On (max) @ Id, Vgs	18mOhm vid 46,9A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id	5,6V vid 9,5mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	57 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+23V, -7V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	2038 pF @ 400 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	273W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TO247-3-40
Inkapsling/låda	TO-247-3
Basproduktens nummer	IMW65R020

Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 286

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Rör

Antal	Enhetspris	Totalpris
1	kr 130,32000	kr 130,32
30	kr 79,47133	kr 2 384,14
120	kr 68,81808	kr 8 258,17

Tillverkarens standardförpackning

Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.