Name: IMW120R220M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IMW120R220M1HXKSA1-ND
Price: 81.0875 SEK
Availability: InStock

IMW120R220M1HXKSA1
cms-digikey-product-number	IMW120R220M1HXKSA1-ND
cms-manufacturer	Infineon Technologies
cms-manufacturer-product-number	IMW120R220M1HXKSA1
cms-description	SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3
cms-standard-lead-time	39 veckor
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-kanal 1200 V 13 A (Tc) 75W (Tc) Genomgående hål PG-TO247-3-41
Datablad	Datablad
cms-eda-cad-models	IMW120R220M1HXKSA1 Modeller

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)	1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	13 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	15V, 18V
Rds On (max) @ Id, Vgs	286mOhm vid 4A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id	5,7V vid 1,6mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	8.5 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+23V, -7V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	289 pF @ 800 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	75W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TO247-3-41
Inkapsling/låda	TO-247-3
Basproduktens nummer	IMW120

Enhetspris exkl. moms:	kr 64,87000
Enhetspris inkl. moms:	kr 81,08750

IMW120R220M1HXKSA1