N-kanal 1200 V 17 A (Tc) 130W (Tc) Genomgående hål TO-247AD
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

S2M0160120D

DigiKeys produktnummer
1655-S2M0160120D-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
S2M0160120D
Beskrivning
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Tillverkarens standardleveranstid
12 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 1200 V 17 A (Tc) 130W (Tc) Genomgående hål TO-247AD
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
20V
Rds On (max) @ Id, Vgs
196mOhm vid 10A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 2,5mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
26.5 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+20V, -5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
513 pF @ 1000 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
130W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247AD
Inkapsling/låda
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 234
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 47,62000kr 47,62
10kr 31,64800kr 316,48
300kr 19,81537kr 5 944,61
600kr 18,40858kr 11 045,15
1 200kr 17,67715kr 21 212,58
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 47,62000
Enhetspris inkl. moms:kr 59,52500