Name: IGLD65R080D2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGLD65R080D2AUMA1TR-ND
Price: 65.5125 SEK
Availability: InStock

IGLD65R080D2AUMA1
DigiKeys produktnummer	448-IGLD65R080D2AUMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IGLD65R080D2AUMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IGLD65R080D2AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IGLD65R080D2AUMA1
Beskrivning	GANFET N-CH 650V 18A 8LDFN
Tillverkarens standardleveranstid	27 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 650 V 18 A (Tc) 68W (Tc) Ytmontering PG-LSON-8-2
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IGLD65R080D2AUMA1 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™ G5
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	GaNFET (galliumnitrid)
Drain till source-spänning (Vdss)	650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	18 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	-
Rds On (max) @ Id, Vgs	100mOhm vid 5,5A
Vgs(th) (Max) @ Id	1,6V vid 1,8mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	3.3 nC @ 3 V
Vgs (Max)	-10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	240 pF @ 400 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	68W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-LSON-8-2
Inkapsling/låda	8-LDFN exponerad kontaktyta

Enhetspris exkl. moms:	kr 52,41000
Enhetspris inkl. moms:	kr 65,51250

IGLD65R080D2AUMA1