Name: IGT65R140D2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGT65R140D2ATMA1TR-ND
Price: 46.1875 SEK
Availability: InStock

IGT65R140D2ATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IGT65R140D2ATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IGT65R140D2ATMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IGT65R140D2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IGT65R140D2ATMA1
Beskrivning	GANFET N-CH 650V 13A 8PSFN
Tillverkarens standardleveranstid	27 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 650 V 13 A (Tc) 47W (Tc) Ytmontering PG-HSOF-8-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IGT65R140D2ATMA1 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™ G5
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	GaNFET (galliumnitrid)
Drain till source-spänning (Vdss)	650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	13 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	-
Rds On (max) @ Id, Vgs	170mOhm vid 3,1A
Vgs(th) (Max) @ Id	1,6V vid 1mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	1.8 nC @ 3 V
Vgs (Max)	-10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	155 pF @ 400 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	47W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-HSOF-8-3
Inkapsling/låda	8-PowerSFN

Antal	Enhetspris	Totalpris
2 000	kr 12,03775	kr 24 075,50
4 000	kr 11,47002	kr 45 880,08

Enhetspris exkl. moms:	kr 36,95000
Enhetspris inkl. moms:	kr 46,18750

IGT65R140D2ATMA1