BSZ12DN20NS3GATMA1 har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

MFR Recommended


Infineon Technologies
I lager: 38 717
Enhetspris : kr 18,90000
Datablad

Parametrisk ekvivalent


Infineon Technologies
I lager: 4 665
Enhetspris : kr 17,39000
Datablad
PG-TSDSON-8
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

BSZ12DN20NS3GATMA1

DigiKeys produktnummer
BSZ12DN20NS3GATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR)
BSZ12DN20NS3GATMA1CT-ND - Remsbit (CT)
BSZ12DN20NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
BSZ12DN20NS3GATMA1
Beskrivning
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 200 V 11,3 A (Tc) 50W (Tc) Ytmontering PG-TSDSON-8
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
BSZ12DN20NS3GATMA1 Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
Förpackning
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
125mOhm vid 5,7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 25µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
8.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
680 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
50W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning
PG-TSDSON-8
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.