Name: BSZ120P03NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ120P03NS3GATMA1TR-ND
Price: 12.4 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

BSZ120P03NS3GATMA1
DigiKeys produktnummer	BSZ120P03NS3GATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) BSZ120P03NS3GATMA1CT-ND - Remsbit (CT) BSZ120P03NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	BSZ120P03NS3GATMA1
Beskrivning	MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Tillverkarens standardleveranstid	14 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 30 V 11 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 52W (Tc) Ytmontering PG-TSDSON-8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	BSZ120P03NS3GATMA1 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	P-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	30 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	11 A (Ta), 40 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	12mOhm vid 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3,1V vid 73µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±25V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	3360 pF @ 15 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	2,1W (Ta), 52W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TSDSON-8
Inkapsling/låda	8-PowerTDFN
Basproduktens nummer	BSZ120