Name: BSC123N08NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC123N08NS3GATMA1TR-ND
Price: 27.7125 SEK
Availability: OutOfStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

BSC123N08NS3GATMA1
DigiKeys produktnummer	BSC123N08NS3GATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) BSC123N08NS3GATMA1CT-ND - Remsbit (CT) BSC123N08NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	BSC123N08NS3GATMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON
Tillverkarens standardleveranstid	61 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 80 V 11 A (Ta), 55 A (Tc) 2,5W (Ta), 66W (Tc) Ytmontering PG-TDSON-8-1
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	BSC123N08NS3GATMA1 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 3,5V vid 33µA
Tillv. Infineon Technologies	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (Max) ±20V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 1870 pF @ 40 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 2,5W (Ta), 66W (Tc)
FET-typ N-kanal	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 80 V	Leverantörens enhetsförpackning PG-TDSON-8-1
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 11 A (Ta), 55 A (Tc)	Inkapsling/låda 8-PowerTDFN
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Basproduktens nummer BSC123
Rds On (max) @ Id, Vgs 12,3mOhm vid 33A, 10V