Name: BSC190N12NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC190N12NS3GATMA1TR-ND
Price: 24.45 SEK
Availability: InStock

BSC190N12NS3GATMA1
DigiKeys produktnummer	BSC190N12NS3GATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) BSC190N12NS3GATMA1CT-ND - Remsbit (CT) BSC190N12NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	BSC190N12NS3GATMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 120 V 8,6 A (Ta), 44 A (Tc) 69W (Tc) Ytmontering PG-TDSON-8-1
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	BSC190N12NS3GATMA1 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Inte för nya designer
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	120 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	8,6 A (Ta), 44 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	19mOhm vid 39A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V vid 42µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	34 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	2300 pF @ 60 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	69W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TDSON-8-1
Inkapsling/låda	8-PowerTDFN
Basproduktens nummer	BSC190

Enhetspris exkl. moms:	kr 19,56000
Enhetspris inkl. moms:	kr 24,45000

BSC190N12NS3GATMA1