Name: BSC011N03LSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC011N03LSATMA1TR-ND
Price: 24.45 SEK
Availability: InStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

BSC011N03LSATMA1
DigiKeys produktnummer	BSC011N03LSATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) BSC011N03LSATMA1CT-ND - Remsbit (CT) BSC011N03LSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	BSC011N03LSATMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Tillverkarens standardleveranstid	26 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 30 V 37 A (Ta), 100 A (Tc) 2,5W (Ta), 96W (Tc) Ytmontering PG-TDSON-8-1
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	BSC011N03LSATMA1 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	30 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	37 A (Ta), 100 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	1,1mOhm vid 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,2V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	72 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	4700 pF @ 15 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	2,5W (Ta), 96W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TDSON-8-1
Inkapsling/låda	8-PowerTDFN
Basproduktens nummer	BSC011

Enhetspris exkl. moms:	kr 19,56000
Enhetspris inkl. moms:	kr 24,45000

BSC011N03LSATMA1