FET:ar, MOSFET:ar
55 350 ResultatFET:ar, MOSFET:ar
När du väljer en MOSFET är det viktigt att anpassa dess elektriska egenskaper till din tillämpning. Börja med att kontrollera Drain-Source spänningen (VDS) för att kontrollera att den är högre än den högsta spänning som din krets kommer att utsättas för. Titta sedan på gate-brytspänningen (VGS(th)) - om du använder en microcontroller (med t.ex. 3,3 eller 5 V logik) behöver du en MOSFET med en logisk nivå som är helt påslagen vid dessa spänningar. Klassificeringen för kontinuerlig drain-ström (ID) måste motsvara eller vara högre än den ström som lasten drar, och en lägre på-resistans (RDS(on)) bidrar till att minimera värme- och effektförlusterna.
Det finns två huvudtyper av MOSFET:ar: N-kanal och P-kanal, där var och en finns i varianter med förstärknings- och utarmningsläge. MOSFET:ar med N-kanal i förstärkningsläge är de vanligaste till följd grund av deras högre elektronrörlighet, vilket resulterar i lägre på-resistans och bättre switchningseffektivitet. Både MOSFET:ar och BJT:er (transistorer med bipolär övergång) fungerar som omkopplare eller förstärkare, där MOSFET:ar är spänningsstyrda enheter medan BJT:er är strömstyrda. Detta ger MOSFET:ar en betydande fördel i värmekänsliga tillämpningar med hög hastighet och låg strömförbrukning.




