SIHP23N60E-GE3
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SUP90100E-GE3

DigiKeys produktnummer
742-SUP90100E-GE3-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
SUP90100E-GE3
Beskrivning
N-CHANNEL 200 V (D-S) MOSFET TO-
Tillverkarens standardleveranstid
33 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 200 V 150A (Tc) 375W (Tc) Genomgående hål TO-220AB
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
Förpackning
Bulk
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
7,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
10,9mOhm vid 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3930 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
375W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-220AB
Inkapsling/låda
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 1 028
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Alla priser är i SEK
Bulk
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 43,38000kr 43,38
10kr 28,67100kr 286,71
100kr 20,32220kr 2 032,22
500kr 16,75996kr 8 379,98
1 000kr 15,61613kr 15 616,13
2 000kr 15,41532kr 30 830,64
Tillverkarens standardförpackning
Enhetspris exkl. moms:kr 43,38000
Enhetspris inkl. moms:kr 54,22500