Name: SUD50N04-8M8P-4GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD50N04-8M8P-4GE3TR-ND
Price: 25.9875 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SUD50N04-8M8P-4GE3
DigiKeys produktnummer	SUD50N04-8M8P-4GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SUD50N04-8M8P-4GE3CT-ND - Remsbit (CT) SUD50N04-8M8P-4GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SUD50N04-8M8P-4GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Tillverkarens standardleveranstid	24 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 40 V 14 A (Ta), 50 A (Tc) 3,1W (Ta), 48,1W (Tc) Ytmontering TO-252AA
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SUD50N04-8M8P-4GE3 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	40 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	14 A (Ta), 50 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	8,8mOhm vid 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	56 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	2400 pF @ 20 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	3,1W (Ta), 48,1W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	TO-252AA
Inkapsling/låda	TO-252-3, DPAK (2 stift + flik), SC-63
Basproduktens nummer	SUD50