Name: SQSA80ENW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQSA80ENW-T1_GE3TR-ND
Price: 22.6875 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SQSA80ENW-T1_GE3
DigiKeys produktnummer	SQSA80ENW-T1_GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SQSA80ENW-T1_GE3CT-ND - Remsbit (CT) SQSA80ENW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SQSA80ENW-T1_GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8
Tillverkarens standardleveranstid	39 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 80 V 18 A (Tc) 62,5W (Tc) Ytmontering PowerPAK® 1212-8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SQSA80ENW-T1_GE3 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V
Tillv. Vishay Siliconix	Vgs (Max) ±20V
Serie TrenchFET®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 1358 pF @ 40 V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Effektförlust (max) 62,5W (Tc)
Artikelstatus Aktiv	Arbetstemperatur -55°C-175°C (TJ)
FET-typ N-kanal	Grad Automotive
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Godkännande AEC-Q101
Drain till source-spänning (Vdss) 80 V	Monteringstyp Ytmontering
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 18 A (Tc)	Leverantörens enhetsförpackning PowerPAK® 1212-8
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Inkapsling/låda PowerPAK® 1212-8
Rds On (max) @ Id, Vgs 21mOhm vid 10A, 10V	Basproduktens nummer SQSA80
Vgs(th) (Max) @ Id 2,5V vid 250µA