Name: SQS966ENW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQS966ENW-T1_GE3TR-ND
Price: 17.8375 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SQS966ENW-T1_GE3
DigiKeys produktnummer	SQS966ENW-T1_GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SQS966ENW-T1_GE3CT-ND - Remsbit (CT) SQS966ENW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SQS966ENW-T1_GE3
Beskrivning	MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212
Tillverkarens standardleveranstid	32 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	MOSFETs - matriser 60V 6 A (Tc) 27,8W (Tc) Ytmontering, vätbar sida PowerPAK® 1212-8W dubbel
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET-, MOSFET-matriser
Tillverkare	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-kanal (dubbel)
FET-funktion	-
Drain till source-spänning (Vdss)	60V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	6 A (Tc)
Rds On (max) @ Id, Vgs	36mOhm vid 1,25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,5V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	8,8nC vid 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	572pF vid 25V
Effekt - max	27,8W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Ytmontering, vätbar sida
Inkapsling/låda	PowerPAK® 1212-8W dubbel
Leverantörens enhetsförpackning	PowerPAK® 1212-8W dubbel
Basproduktens nummer	SQS966