Name: SQM120P10_10M1LGE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQM120P10_10M1LGE3TR-ND
Price: 56.4625 SEK
Availability: InStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

SQM120P10_10M1LGE3
DigiKeys produktnummer	SQM120P10_10M1LGE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SQM120P10_10M1LGE3CT-ND - Remsbit (CT) SQM120P10_10M1LGE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SQM120P10_10M1LGE3
Beskrivning	MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Tillverkarens standardleveranstid	32 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 100 V 120 A (Tc) 375W (Tc) Ytmontering TO-263 (D2PAK)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SQM120P10_10M1LGE3 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	P-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	100 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	120 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	10,1mOhm vid 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,5V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	190 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	9000 pF @ 25 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	375W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	TO-263 (D2PAK)
Inkapsling/låda	TO-263-3, D2PAK (2 stift + flik), TO-263AB
Basproduktens nummer	SQM120

Antal	Enhetspris	Totalpris
800	kr 16,74800	kr 13 398,40
1 600	kr 16,29416	kr 26 070,66

Enhetspris exkl. moms:	kr 45,17000
Enhetspris inkl. moms:	kr 56,46250

SQM120P10_10M1LGE3