Name: SQM120P04-04L_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQM120P04-04L_GE3TR-ND
Price: 54.225 SEK
Availability: InStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

SQM120P04-04L_GE3
DigiKeys produktnummer	SQM120P04-04L_GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SQM120P04-04L_GE3CT-ND - Remsbit (CT) SQM120P04-04L_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SQM120P04-04L_GE3
Beskrivning	MOSFET P-CH 40V 120A TO263
Tillverkarens standardleveranstid	25 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 40 V 120 A (Tc) 375W (Tc) Ytmontering TO-263 (D2PAK)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SQM120P04-04L_GE3 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	P-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	40 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	120 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	4mOhm vid 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,5V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	330 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	13980 pF @ 20 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	375W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	TO-263 (D2PAK)
Inkapsling/låda	TO-263-3, D2PAK (2 stift + flik), TO-263AB
Basproduktens nummer	SQM120

Antal	Enhetspris	Totalpris
800	kr 15,98196	kr 12 785,57
1 600	kr 15,43658	kr 24 698,53

Enhetspris exkl. moms:	kr 43,38000
Enhetspris inkl. moms:	kr 54,22500

SQM120P04-04L_GE3