Name: SQJQ466E-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJQ466E-T1_GE3TR-ND
Price: 44.8875 SEK
Availability: InStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

SQJQ466E-T1_GE3
DigiKeys produktnummer	SQJQ466E-T1_GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SQJQ466E-T1_GE3CT-ND - Remsbit (CT) SQJQ466E-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SQJQ466E-T1_GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 60V 200A PPAK 8 X 8
Tillverkarens standardleveranstid	32 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 60 V 200 A (Tc) 150W (Tc) Ytmontering PowerPAK® 8 x 8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SQJQ466E-T1_GE3 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	60 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	200 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	1,9mOhm vid 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3,5V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	180 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	10210 pF @ 25 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	150W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PowerPAK® 8 x 8
Inkapsling/låda	PowerPAK® 8 x 8
Basproduktens nummer	SQJQ466

Enhetspris exkl. moms:	kr 35,91000
Enhetspris inkl. moms:	kr 44,88750

SQJQ466E-T1_GE3