Name: SQJQ112E-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJQ112E-T1_GE3TR-ND
Price: 54.575 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SQJQ112E-T1_GE3
DigiKeys produktnummer	742-SQJQ112E-T1_GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) 742-SQJQ112E-T1_GE3CT-ND - Remsbit (CT) 742-SQJQ112E-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SQJQ112E-T1_GE3
Beskrivning	AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Tillverkarens standardleveranstid	32 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 100 V 296A (Tc) 600W (Tc) Ytmontering PowerPAK® 8 x 8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SQJQ112E-T1_GE3 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	100 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	296A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	2,53mOhm vid 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3,5V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	272 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	15945 pF @ 25 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	600W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PowerPAK® 8 x 8
Inkapsling/låda	PowerPAK® 8 x 8