Name: SQJQ112E-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJQ112E-T1_GE3TR-ND
Price: 56.3375 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SQJQ112E-T1_GE3
DigiKeys produktnummer	742-SQJQ112E-T1_GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) 742-SQJQ112E-T1_GE3CT-ND - Remsbit (CT) 742-SQJQ112E-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SQJQ112E-T1_GE3
Beskrivning	AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Tillverkarens standardleveranstid	39 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 100 V 296A (Tc) 600W (Tc) Ytmontering PowerPAK® 8 x 8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SQJQ112E-T1_GE3 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 3,5V vid 250µA
Tillv. Vishay Siliconix	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 272 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen IV	Vgs (Max) ±20V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 15945 pF @ 25 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 600W (Tc)
FET-typ N-kanal	Arbetstemperatur -55°C-175°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Grad Automotive
Drain till source-spänning (Vdss) 100 V	Godkännande AEC-Q101
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 296A (Tc)	Monteringstyp Ytmontering
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 10V	Leverantörens enhetsförpackning PowerPAK® 8 x 8
Rds On (max) @ Id, Vgs 2,53mOhm vid 20A, 10V	Inkapsling/låda PowerPAK® 8 x 8