Name: SQJ570EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ570EP-T1_GE3TR-ND
Price: 20.675 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SQJ570EP-T1_GE3
DigiKeys produktnummer	SQJ570EP-T1_GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SQJ570EP-T1_GE3CT-ND - Remsbit (CT) SQJ570EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SQJ570EP-T1_GE3
Beskrivning	MOSFET N/P-CH 100V 15A PPAK SO8
Tillverkarens standardleveranstid	32 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	MOSFETs - matriser 100V 15 A (Tc), 9,5 A (Tc) 27W Ytmontering PowerPAK® SO-8 dubbel
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SQJ570EP-T1_GE3 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET-, MOSFET-matriser
Tillverkare	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	N och P-kanal
FET-funktion	-
Drain till source-spänning (Vdss)	100V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	15 A (Tc), 9,5 A (Tc)
Rds On (max) @ Id, Vgs	45mOhm vid 6A, 10V, 146mOhm vid 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,5V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	20nC vid 10V, 15nC vid 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	650pF vid 25V, 600pF vid 25V
Effekt - max	27W
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Ytmontering
Inkapsling/låda	PowerPAK® SO-8 dubbel
Leverantörens enhetsförpackning	PowerPAK® SO-8 dubbel
Basproduktens nummer	SQJ570