Name: SQJ457EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ457EP-T1_GE3TR-ND
Price: 18.3625 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SQJ457EP-T1_GE3
DigiKeys produktnummer	SQJ457EP-T1_GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SQJ457EP-T1_GE3CT-ND - Remsbit (CT) SQJ457EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SQJ457EP-T1_GE3
Beskrivning	MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8
Tillverkarens standardleveranstid	24 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 60 V 36 A (Tc) 68W (Tc) Ytmontering PowerPAK® SO-8
Datablad	Datablad

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V
Tillv. Vishay Siliconix	Vgs (Max) ±20V
Serie TrenchFET®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 3400 pF @ 25 V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Effektförlust (max) 68W (Tc)
Artikelstatus Aktiv	Arbetstemperatur -55°C-175°C (TJ)
FET-typ P-kanal	Grad Automotive
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Godkännande AEC-Q101
Drain till source-spänning (Vdss) 60 V	Monteringstyp Ytmontering
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 36 A (Tc)	Leverantörens enhetsförpackning PowerPAK® SO-8
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Inkapsling/låda PowerPAK® SO-8
Rds On (max) @ Id, Vgs 25mOhm vid 10A, 10V	Basproduktens nummer SQJ457
Vgs(th) (Max) @ Id 2,5V vid 250µA