Name: SQJ409EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ409EP-T1_GE3TR-ND
Price: 24.1 SEK
Availability: InStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

SQJ409EP-T1_GE3
DigiKeys produktnummer	SQJ409EP-T1_GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SQJ409EP-T1_GE3CT-ND - Remsbit (CT) SQJ409EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SQJ409EP-T1_GE3
Beskrivning	MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
Tillverkarens standardleveranstid	27 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 40 V 60 A (Tc) 68W (Tc) Ytmontering PowerPAK® SO-8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SQJ409EP-T1_GE3 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	P-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	40 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	60 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	7mOhm vid 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,5V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	260 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	11000 pF @ 25 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	68W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PowerPAK® SO-8
Inkapsling/låda	PowerPAK® SO-8
Basproduktens nummer	SQJ409

Antal	Enhetspris	Totalpris
3 000	kr 5,36102	kr 16 083,06
6 000	kr 5,08883	kr 30 532,98

Enhetspris exkl. moms:	kr 19,28000
Enhetspris inkl. moms:	kr 24,10000

SQJ409EP-T1_GE3