Name: SQ4425EY-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ4425EY-T1_GE3TR-ND
Price: 32.5 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SQ4425EY-T1_GE3
DigiKeys produktnummer	SQ4425EY-T1_GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SQ4425EY-T1_GE3CT-ND - Remsbit (CT) SQ4425EY-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SQ4425EY-T1_GE3
Beskrivning	MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC
Tillverkarens standardleveranstid	24 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 30 V 18 A (Tc) 6,8W (Tc) Ytmontering 8-SOIC
Datablad	Datablad

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 4.5 V
Tillv. Vishay Siliconix	Vgs (Max) ±20V
Serie TrenchFET®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 3630 pF @ 25 V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Effektförlust (max) 6,8W (Tc)
Artikelstatus Aktiv	Arbetstemperatur -55°C-175°C (TJ)
FET-typ P-kanal	Grad Automotive
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Godkännande AEC-Q101
Drain till source-spänning (Vdss) 30 V	Monteringstyp Ytmontering
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 18 A (Tc)	Leverantörens enhetsförpackning 8-SOIC
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Inkapsling/låda 8-SOIC (Bredd 0,154", 3,90mm)
Rds On (max) @ Id, Vgs 12mOhm vid 13A, 10V	Basproduktens nummer SQ4425
Vgs(th) (Max) @ Id 2,5V vid 250µA