Name: SQ2337CES-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQ2337CES-T1_GE3TR-ND
Price: 7.6375 SEK
Availability: OutOfStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SQ2337CES-T1_GE3
DigiKeys produktnummer	742-SQ2337CES-T1_GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) 742-SQ2337CES-T1_GE3CT-ND - Remsbit (CT) 742-SQ2337CES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SQ2337CES-T1_GE3
Beskrivning	MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Tillverkarens standardleveranstid	24 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 80 V 2,2 A (Tc) 3W (Tc) Ytmontering SOT-23-3 (TO-236)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SQ2337CES-T1_GE3 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 2,5V vid 250µA
Tillv. Vishay Siliconix	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 40 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max) ±20V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 620 pF @ 40 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 3W (Tc)
FET-typ P-kanal	Arbetstemperatur -55°C-175°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Grad Automotive
Drain till source-spänning (Vdss) 80 V	Godkännande AEC-Q101
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 2,2 A (Tc)	Monteringstyp Ytmontering
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Leverantörens enhetsförpackning SOT-23-3 (TO-236)
Rds On (max) @ Id, Vgs 290mOhm vid 1,2A, 10V	Inkapsling/låda TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Rapportera produktinformationsfel

Dokument och media

Miljö- och exportklassificeringar

Ytterligare resurser

I lager: 0

Kontrollera leveranstid

Begär lagermeddelande

Antal

Alla priser är i SEK

Remsbit (CT) & Digi-Reel®

* Alla Digi-Reel-order kommer att påläggas en avgift på kr 62,00.

Remsa och spole (TR)