SQ2361AEES-T1_BE3 Vishay Siliconix | Diskreta halvledarprodukter

SQ2361AEES-T1_BE3 har utgått och tillverkas inte längre.

Tillgängliga ersättningsprodukter:

MFR Recommended

Vishay Siliconix

I lager: 0

Enhetspris : kr 6,33000

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SQ2361AEES-T1_BE3
DigiKeys produktnummer	742-SQ2361AEES-T1_BE3TR-ND - Remsa och spole (TR) 742-SQ2361AEES-T1_BE3CT-ND - Remsbit (CT) 742-SQ2361AEES-T1_BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SQ2361AEES-T1_BE3
Beskrivning	MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 60 V 2,8 A (Tc) 2W (Tc) Ytmontering SOT-23-3 (TO-236)
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Föråldrad
FET-typ	P-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	60 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	2,8 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	170mOhm vid 2,4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,5V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	620 pF @ 30 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	2W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	SOT-23-3 (TO-236)
Inkapsling/låda	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basproduktens nummer	SQ2361