SQ2308CES-T1_BE3 Vishay Siliconix | FET:ar, MOSFET:ar enskilda

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SQ2308CES-T1_BE3
DigiKeys produktnummer	742-SQ2308CES-T1_BE3TR-ND - Remsa och spole (TR) 742-SQ2308CES-T1_BE3CT-ND - Remsbit (CT) 742-SQ2308CES-T1_BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SQ2308CES-T1_BE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 60 V 2,3 A (Tc) 2W (Tc) Ytmontering SOT-23-3 (TO-236)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SQ2308CES-T1_BE3 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 5.3 nC @ 10 V
Tillv. Vishay Siliconix	Vgs (Max) ±20V
Serie TrenchFET®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 205 pF @ 30 V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Effektförlust (max) 2W (Tc)
Artikelstatus Föråldrad	Arbetstemperatur -55°C-175°C (TJ)
FET-typ N-kanal	Grad Automotive
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Godkännande AEC-Q101
Drain till source-spänning (Vdss) 60 V	Monteringstyp Ytmontering
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 2,3 A (Tc)	Leverantörens enhetsförpackning SOT-23-3 (TO-236)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Inkapsling/låda TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds On (max) @ Id, Vgs 150mOhm vid 2,3A, 10V	Basproduktens nummer SQ2308
Vgs(th) (Max) @ Id 2,5V vid 250µA

Rapportera produktinformationsfel

Dokument och media

Miljö- och exportklassificeringar

Ytterligare resurser

I lager: 16 376

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Denna produkt tillverkas inte längre och kommer inte längre lagerföras när aktuellt lager är slut.

Antal

Alla priser är i SEK

Remsbit (CT)

Remsa och spole (TR)