SIZ300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix | Diskreta halvledarprodukter

SIZ300DT-T1-GE3 har utgått och tillverkas inte längre.

Tillgängliga ersättningsprodukter:

MFR Recommended

Vishay Siliconix

I lager: 0

Enhetspris : kr 2,60474

Similar

onsemi

I lager: 3 000

Enhetspris : kr 10,11000

Similar

onsemi

I lager: 3 367

Enhetspris : kr 12,76000

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SIZ300DT-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SIZ300DT-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SIZ300DT-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) SIZ300DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SIZ300DT-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET 2N-CH 30V 11A 8POWERPAIR
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	MOSFETs - matriser 30V 11A, 28A 16,7W, 31W Ytmontering 8-PowerPair®
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SIZ300DT-T1-GE3 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET-, MOSFET-matriser
Tillverkare	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Föråldrad
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-kanal (H-brygga)
FET-funktion	Logiknivågrind
Drain till source-spänning (Vdss)	30V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	11A, 28A
Rds On (max) @ Id, Vgs	24mOhm vid 9,8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,4V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	12nC vid 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	400pF vid 15V
Effekt - max	16,7W, 31W
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Monteringstyp	Ytmontering
Inkapsling/låda	8-PowerWDFN
Leverantörens enhetsförpackning	8-PowerPair®
Basproduktens nummer	SIZ300