Name: SIUD412ED-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIUD412ED-T1-GE3TR-ND
Price: 4.725 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SIUD412ED-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SIUD412ED-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SIUD412ED-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) SIUD412ED-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SIUD412ED-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806
Tillverkarens standardleveranstid	13 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 12 V 500mA (Tc) 1,25W (Ta) Ytmontering PowerPAK® 0806
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SIUD412ED-T1-GE3 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	12 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	500mA (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	1,2V, 4,5V
Rds On (max) @ Id, Vgs	340mOhm vid 500mA, 4,5V
Vgs(th) (Max) @ Id	900mV vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	0.71 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	21 pF @ 6 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	1,25W (Ta)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PowerPAK® 0806
Inkapsling/låda	PowerPAK® 0806
Basproduktens nummer	SIUD412

Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 64 051

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Remsbit (CT) & Digi-Reel®

* Alla Digi-Reel-order kommer att påläggas en avgift på kr 62,00.

Remsa och spole (TR)