Name: SISS98DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS98DN-T1-GE3TR-ND
Price: 19.6125 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SISS98DN-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SISS98DN-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SISS98DN-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) SISS98DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SISS98DN-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 200V 14.1A PPAK
Tillverkarens standardleveranstid	42 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 200 V 14,1 A (Tc) 57W (Tc) Ytmontering PowerPAK® 1212-8S
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SISS98DN-T1-GE3 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 4V vid 250µA
Tillv. Vishay Siliconix	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 7.5 V
Serie ThunderFET®	Vgs (Max) ±20V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 608 pF @ 100 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 57W (Tc)
FET-typ N-kanal	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 200 V	Leverantörens enhetsförpackning PowerPAK® 1212-8S
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 14,1 A (Tc)	Inkapsling/låda PowerPAK® 1212-8S
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 7,5V, 10V	Basproduktens nummer SISS98
Rds On (max) @ Id, Vgs 105mOhm vid 7A, 10V