Name: SISS78LDN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS78LDN-T1-GE3TR-ND
Price: 24.5125 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SISS78LDN-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	742-SISS78LDN-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) 742-SISS78LDN-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) 742-SISS78LDN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SISS78LDN-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 70V 19.4A/66.7A PPAK
Tillverkarens standardleveranstid	55 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 70 V 19,4A (Ta), 66,7A (Tc) 4,8W (Ta), 57W (Tc) Ytmontering PowerPAK® 1212-8SH
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SISS78LDN-T1-GE3 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 2,3V vid 250µA
Tillv. Vishay Siliconix	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen IV	Vgs (Max) ±20V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 2280 pF @ 35 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 4,8W (Ta), 57W (Tc)
FET-typ N-kanal	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 70 V	Leverantörens enhetsförpackning PowerPAK® 1212-8SH
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 19,4A (Ta), 66,7A (Tc)	Inkapsling/låda PowerPAK® 1212-8SH
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Basproduktens nummer SISS78
Rds On (max) @ Id, Vgs 5,8mOhm vid 10A, 10V