Name: SISS61DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS61DN-T1-GE3TR-ND
Price: 20.75 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SISS61DN-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SISS61DN-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SISS61DN-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) SISS61DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SISS61DN-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK
Tillverkarens standardleveranstid	22 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 20 V 30,9A (Ta), 111,9A (Tc) 5W (Ta), 65,8W (Tc) Ytmontering PowerPAK® 1212-8S
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SISS61DN-T1-GE3 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 900mV vid 250µA
Tillv. Vishay Siliconix	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 231 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen III	Vgs (Max) ±8V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 8740 pF @ 10 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 5W (Ta), 65,8W (Tc)
FET-typ P-kanal	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 20 V	Leverantörens enhetsförpackning PowerPAK® 1212-8S
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 30,9A (Ta), 111,9A (Tc)	Inkapsling/låda PowerPAK® 1212-8S
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 1,8V, 4,5V	Basproduktens nummer SISS61
Rds On (max) @ Id, Vgs 3,5mOhm vid 15A, 4,5V