Name: SISS60DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS60DN-T1-GE3TR-ND
Price: 26.8 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SISS60DN-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	742-SISS60DN-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) 742-SISS60DN-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) 742-SISS60DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SISS60DN-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAK
Tillverkarens standardleveranstid	55 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 30 V 50,1A (Ta), 181,8A (Tc) 5,1W (Ta), 65,8W (Tc) Ytmontering PowerPAK® 1212-8S
Datablad	Datablad

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 2,5V vid 250µA
Tillv. Vishay Siliconix	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 85.5 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen IV	Vgs (Max) +16V, -12V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 3960 pF @ 15 V
Artikelstatus Aktiv	FET-funktion Schottkydiod (hölje)
FET-typ N-kanal	Effektförlust (max) 5,1W (Ta), 65,8W (Tc)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Drain till source-spänning (Vdss) 30 V	Monteringstyp Ytmontering
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 50,1A (Ta), 181,8A (Tc)	Leverantörens enhetsförpackning PowerPAK® 1212-8S
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Inkapsling/låda PowerPAK® 1212-8S
Rds On (max) @ Id, Vgs 1,31mOhm vid 20A, 10V	Basproduktens nummer SISS60