Name: SISS50DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS50DN-T1-GE3TR-ND
Price: 19.5 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SISS50DN-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	742-SISS50DN-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) 742-SISS50DN-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) 742-SISS50DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SISS50DN-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 45V 29.7A/108A PPAK
Tillverkarens standardleveranstid	55 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 45 V 29,7A (Ta), 108A (Tc) 5W (Ta), 65,7W (Tc) Ytmontering PowerPAK® 1212-8S
Datablad	Datablad

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 2,3V vid 250µA
Tillv. Vishay Siliconix	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen IV	Vgs (Max) +20V, -16V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 20 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 5W (Ta), 65,7W (Tc)
FET-typ N-kanal	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 45 V	Leverantörens enhetsförpackning PowerPAK® 1212-8S
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 29,7A (Ta), 108A (Tc)	Inkapsling/låda PowerPAK® 1212-8S
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Basproduktens nummer SISS50
Rds On (max) @ Id, Vgs 2,83mOhm vid 15A, 10V