Name: SI2356DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2356DS-T1-GE3TR-ND
Price: 6.5 SEK
Availability: OutOfStock

SI2356DS-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SI2356DS-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SI2356DS-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) SI2356DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SI2356DS-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 40V 4.3A TO236
Tillverkarens standardleveranstid	38 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 40 V 4,3 A (Tc) 960mW (Ta), 1,7W (Tc) Ytmontering SOT-23-3 (TO-236)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SI2356DS-T1-GE3 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	40 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	4,3 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	2,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	51mOhm vid 3,2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	1,5V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	13 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±12V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	370 pF @ 20 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	960mW (Ta), 1,7W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	SOT-23-3 (TO-236)
Inkapsling/låda	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basproduktens nummer	SI2356

Enhetspris exkl. moms:	kr 5,20000
Enhetspris inkl. moms:	kr 6,50000

SI2356DS-T1-GE3