Name: SISS30DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS30DN-T1-GE3TR-ND
Price: 21.4375 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SISS30DN-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	742-SISS30DN-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) 742-SISS30DN-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) 742-SISS30DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SISS30DN-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK
Tillverkarens standardleveranstid	55 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 80 V 15,9A (Ta), 54,7A (Tc) 4,8W (Ta), 57W (Tc) Ytmontering PowerPAK® 1212-8S
Datablad	Datablad

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 3,8V vid 250µA
Tillv. Vishay Siliconix	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen IV	Vgs (Max) ±20V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 1666 pF @ 10 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 4,8W (Ta), 57W (Tc)
FET-typ N-kanal	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 80 V	Leverantörens enhetsförpackning PowerPAK® 1212-8S
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 15,9A (Ta), 54,7A (Tc)	Inkapsling/låda PowerPAK® 1212-8S
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 7,5V, 10V	Basproduktens nummer SISS30
Rds On (max) @ Id, Vgs 8,25mOhm vid 10A, 10V

Rapportera produktinformationsfel

Dokument och media

Miljö- och exportklassificeringar

Ytterligare resurser

I lager: 12 057

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Remsbit (CT) & Digi-Reel®

* Alla Digi-Reel-order kommer att påläggas en avgift på kr 62,00.

Remsa och spole (TR)

Tillverkarens standardförpackning

Enhetspris exkl. moms:	kr 17,15000
Enhetspris inkl. moms:	kr 21,43750

SISS30DN-T1-GE3