Name: SISS27DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS27DN-T1-GE3TR-ND
Price: 14.525 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SISS27DN-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SISS27DN-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SISS27DN-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) SISS27DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SISS27DN-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
Tillverkarens standardleveranstid	15 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 30 V 50 A (Tc) 4,8W (Ta), 57W (Tc) Ytmontering PowerPAK® 1212-8S
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	P-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	30 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	50 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	5,6mOhm vid 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,2V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	140 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	5250 pF @ 15 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	4,8W (Ta), 57W (Tc)
Arbetstemperatur	-50°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PowerPAK® 1212-8S
Inkapsling/låda	PowerPAK® 1212-8S
Basproduktens nummer	SISS27