Name: SISS27DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS27DN-T1-GE3TR-ND
Price: 17.5625 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SISS27DN-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SISS27DN-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SISS27DN-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) SISS27DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SISS27DN-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
Tillverkarens standardleveranstid	22 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 30 V 50 A (Tc) 4,8W (Ta), 57W (Tc) Ytmontering PowerPAK® 1212-8S
Datablad	Datablad

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 2,2V vid 250µA
Tillv. Vishay Siliconix	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max) ±20V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 5250 pF @ 15 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 4,8W (Ta), 57W (Tc)
FET-typ P-kanal	Arbetstemperatur -50°C-150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 30 V	Leverantörens enhetsförpackning PowerPAK® 1212-8S
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 50 A (Tc)	Inkapsling/låda PowerPAK® 1212-8S
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Basproduktens nummer SISS27
Rds On (max) @ Id, Vgs 5,6mOhm vid 15A, 10V