Name: SISH615ADN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISH615ADN-T1-GE3TR-ND
Price: 13.4625 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SISH615ADN-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SISH615ADN-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SISH615ADN-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) SISH615ADN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SISH615ADN-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAK
Tillverkarens standardleveranstid	38 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 20 V 22,1A (Ta), 35A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Ytmontering PowerPAK® 1212-8SH
Datablad	Datablad

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 1,5V vid 250µA
Tillv. Vishay Siliconix	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 183 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen III	Vgs (Max) ±12V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 5590 pF @ 10 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 3,7W (Ta), 52W (Tc)
FET-typ P-kanal	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 20 V	Leverantörens enhetsförpackning PowerPAK® 1212-8SH
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 22,1A (Ta), 35A (Tc)	Inkapsling/låda PowerPAK® 1212-8SH
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 2,5V, 10V	Basproduktens nummer SISH615
Rds On (max) @ Id, Vgs 4,4mOhm vid 20A, 10V

Rapportera produktinformationsfel

Dokument och media

Miljö- och exportklassificeringar

Ytterligare resurser

I lager: 39 680

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Remsbit (CT) & Digi-Reel®

* Alla Digi-Reel-order kommer att påläggas en avgift på kr 62,00.

Remsa och spole (TR)