Name: SISH536DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISH536DN-T1-GE3TR-ND
Price: 12.55 SEK
Availability: OutOfStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SISH536DN-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	742-SISH536DN-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) 742-SISH536DN-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) 742-SISH536DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SISH536DN-T1-GE3
Beskrivning	N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Tillverkarens standardleveranstid	55 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 30 V 24,7A (Ta), 67,4A (Tc) 3,57W (Ta), 26,5W (Tc) Ytmontering PowerPAK® 1212-8SH
Datablad	Datablad

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Rds On (max) @ Id, Vgs 3,25mOhm vid 10A, 10V
Tillv. Vishay Siliconix	Vgs(th) (Max) @ Id 2,2V vid 250µA
Serie TrenchFET® Gen V	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max) +16V, -12V
Artikelstatus Aktiv	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 1150 pF @ 15 V
FET-typ N-kanal	Effektförlust (max) 3,57W (Ta), 26,5W (Tc)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Drain till source-spänning (Vdss) 30 V	Monteringstyp Ytmontering
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 24,7A (Ta), 67,4A (Tc)	Leverantörens enhetsförpackning PowerPAK® 1212-8SH
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Inkapsling/låda PowerPAK® 1212-8SH

Rapportera produktinformationsfel

Dokument och media

Miljö- och exportklassificeringar

Ytterligare resurser

I lager: 0

Kontrollera leveranstid

Begär lagermeddelande

Antal

Alla priser är i SEK

Remsbit (CT) & Digi-Reel®

* Alla Digi-Reel-order kommer att påläggas en avgift på kr 62,00.

Remsa och spole (TR)