Name: SISH536DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISH536DN-T1-GE3TR-ND
Price: 10.6375 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SISH536DN-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	742-SISH536DN-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) 742-SISH536DN-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) 742-SISH536DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SISH536DN-T1-GE3
Beskrivning	N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Tillverkarens standardleveranstid	19 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 30 V 24,7A (Ta), 67,4A (Tc) 3,57W (Ta), 26,5W (Tc) Ytmontering PowerPAK® 1212-8SH
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen V
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	30 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	24,7A (Ta), 67,4A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	3,25mOhm vid 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,2V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (Max)	+16V, -12V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1150 pF @ 15 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	3,57W (Ta), 26,5W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PowerPAK® 1212-8SH
Inkapsling/låda	PowerPAK® 1212-8SH

Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 1 350

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Remsbit (CT) & Digi-Reel®

* Alla Digi-Reel-order kommer att påläggas en avgift på kr 62,00.

Remsa och spole (TR)