Name: SISA10DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISA10DN-T1-GE3TR-ND
Price: 19.275 SEK
Availability: InStock

SISA10DN-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SISA10DN-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SISA10DN-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) SISA10DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SISA10DN-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
Tillverkarens standardleveranstid	55 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 30 V 30 A (Tc) 3,6W (Ta), 39W (Tc) Ytmontering PowerPAK® 1212-8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SISA10DN-T1-GE3 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	30 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	30 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	3,7mOhm vid 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,2V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	51 nC @ 10 V
Vgs (Max)	+20V, -16V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	2425 pF @ 15 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	3,6W (Ta), 39W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PowerPAK® 1212-8
Inkapsling/låda	PowerPAK® 1212-8
Basproduktens nummer	SISA10

Enhetspris exkl. moms:	kr 15,42000
Enhetspris inkl. moms:	kr 19,27500

SISA10DN-T1-GE3