Name: SIS606BDN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS606BDN-T1-GE3TR-ND
Price: 28.1625 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SIS606BDN-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SIS606BDN-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SIS606BDN-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) SIS606BDN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SIS606BDN-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 100V 9.4A/35.3A PPAK
Tillverkarens standardleveranstid	55 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 100 V 9,4 A (Ta), 35,3 A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Ytmontering PowerPAK® 1212-8
Datablad	Datablad

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 4V vid 250µA
Tillv. Vishay Siliconix	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen IV	Vgs (Max) ±20V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 1470 pF @ 50 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 3,7W (Ta), 52W (Tc)
FET-typ N-kanal	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 100 V	Leverantörens enhetsförpackning PowerPAK® 1212-8
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 9,4 A (Ta), 35,3 A (Tc)	Inkapsling/låda PowerPAK® 1212-8
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 7,5V, 10V	Basproduktens nummer SIS606
Rds On (max) @ Id, Vgs 17,4mOhm vid 10A, 10V