SIS444DN-T1-GE3 har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

MFR Recommended


Vishay Siliconix
I lager: 0
Enhetspris : kr 10,04000
Datablad

Similar


Rohm Semiconductor
I lager: 2 490
Enhetspris : kr 17,52000
Datablad

Similar


Rohm Semiconductor
I lager: 26 746
Enhetspris : kr 11,22000
Datablad

Similar


Rohm Semiconductor
I lager: 9 683
Enhetspris : kr 16,51000
Datablad

Similar


Rohm Semiconductor
I lager: 4 948
Enhetspris : kr 9,85000
Datablad
N-kanal 30 V 35 A (Tc) 52W (Tc) Ytmontering PowerPAK® 1212-8
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SIS444DN-T1-GE3

DigiKeys produktnummer
SIS444DN-T1-GE3-ND - Remsa och spole (TR)
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
SIS444DN-T1-GE3
Beskrivning
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 30 V 35 A (Tc) 52W (Tc) Ytmontering PowerPAK® 1212-8
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
-
Förpackning
Remsa och spole (TR)
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
30 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
3,3mOhm vid 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2,3V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
102 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3065 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
52W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning
PowerPAK® 1212-8
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.