Name: SIRS5800DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIRS5800DP-T1-GE3TR-ND
Price: 50.975 SEK
Availability: InStock

SIRS5800DP-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	742-SIRS5800DP-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) 742-SIRS5800DP-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) 742-SIRS5800DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SIRS5800DP-T1-GE3
Beskrivning	N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Tillverkarens standardleveranstid	55 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 80 V 46A (Ta), 265A (Tc) 7,4W (Ta), 240W (Tc) Ytmontering PowerPAK® SO-8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SIRS5800DP-T1-GE3 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	80 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	46A (Ta), 265A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	7,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	1,8mOhm vid 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	122 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	6190 pF @ 40 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	7,4W (Ta), 240W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PowerPAK® SO-8
Inkapsling/låda	PowerPAK® SO-8
Basproduktens nummer	SIRS5800

Enhetspris exkl. moms:	kr 40,78000
Enhetspris inkl. moms:	kr 50,97500

SIRS5800DP-T1-GE3