Name: SIRA99DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRA99DP-T1-GE3TR-ND
Price: 42.075 SEK
Availability: OutOfStock

SIRA99DP-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SIRA99DP-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SIRA99DP-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) SIRA99DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SIRA99DP-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET P-CH 30V 47.9A/195A PPAK
Tillverkarens standardleveranstid	55 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 30 V 47,9A (Ta), 195A (Tc) 6,35W (Ta), 104W (Tc) Ytmontering PowerPAK® SO-8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SIRA99DP-T1-GE3 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	P-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	30 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	47,9A (Ta), 195A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	1,7mOhm vid 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,5V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	260 nC @ 10 V
Vgs (Max)	+16V, -20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	10955 pF @ 15 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	6,35W (Ta), 104W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PowerPAK® SO-8
Inkapsling/låda	PowerPAK® SO-8
Basproduktens nummer	SIRA99

Antal	Enhetspris	Totalpris
3 000	kr 10,36673	kr 31 100,19
6 000	kr 10,08673	kr 60 520,38

Enhetspris exkl. moms:	kr 33,66000
Enhetspris inkl. moms:	kr 42,07500

SIRA99DP-T1-GE3