Name: SIRA58DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRA58DP-T1-GE3TR-ND
Price: 28.05 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SIRA58DP-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SIRA58DP-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SIRA58DP-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) SIRA58DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SIRA58DP-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Tillverkarens standardleveranstid	55 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 40 V 60 A (Tc) 27,7W (Tc) Ytmontering PowerPAK® SO-8
Datablad	Datablad

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 2,4V vid 250µA
Tillv. Vishay Siliconix	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max) +20V, -16V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 3750 pF @ 20 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 27,7W (Tc)
FET-typ N-kanal	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 40 V	Leverantörens enhetsförpackning PowerPAK® SO-8
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 60 A (Tc)	Inkapsling/låda PowerPAK® SO-8
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Basproduktens nummer SIRA58
Rds On (max) @ Id, Vgs 2,65mOhm vid 15A, 10V