Name: SIRA18ADP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRA18ADP-T1-GE3TR-ND
Price: 11.175 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SIRA18ADP-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SIRA18ADP-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SIRA18ADP-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) SIRA18ADP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SIRA18ADP-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 30V 30.6A PPAK SO-8
Tillverkarens standardleveranstid	55 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 30 V 30,6 A (Tc) 14,7W (Tc) Ytmontering PowerPAK® SO-8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SIRA18ADP-T1-GE3 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 2,4V vid 250µA
Tillv. Vishay Siliconix	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 21.5 nC @ 10 V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max) +20V, -16V
Artikelstatus Aktiv	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 15 V
FET-typ N-kanal	Effektförlust (max) 14,7W (Tc)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Drain till source-spänning (Vdss) 30 V	Monteringstyp Ytmontering
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 30,6 A (Tc)	Leverantörens enhetsförpackning PowerPAK® SO-8
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Inkapsling/låda PowerPAK® SO-8
Rds On (max) @ Id, Vgs 8,7mOhm vid 10A, 10V	Basproduktens nummer SIRA18

Rapportera produktinformationsfel

Dokument och media

Miljö- och exportklassificeringar

Ytterligare resurser

I lager: 33 854

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Remsbit (CT) & Digi-Reel®

* Alla Digi-Reel-order kommer att påläggas en avgift på kr 62,00.

Remsa och spole (TR)