Name: SIRA12BDP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRA12BDP-T1-GE3TR-ND
Price: 13.35 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SIRA12BDP-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SIRA12BDP-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SIRA12BDP-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) SIRA12BDP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SIRA12BDP-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8
Tillverkarens standardleveranstid	27 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 30 V 27 A (Ta), 60 A (Tc) 5W (Ta), 38W (Tc) Ytmontering PowerPAK® SO-8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SIRA12BDP-T1-GE3 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	30 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	27 A (Ta), 60 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	4,3mOhm vid 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,4V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (Max)	+20V, -16V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1470 pF @ 15 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	5W (Ta), 38W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PowerPAK® SO-8
Inkapsling/låda	PowerPAK® SO-8
Basproduktens nummer	SIRA12