N-kanal 25 V 20 A (Tc) 29,8W (Tc) Ytmontering PowerPAK® SO-8
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SIR808DP-T1-GE3

DigiKeys produktnummer
SIR808DP-T1-GE3-ND - Remsa och spole (TR)
Tillverkare
Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer
SIR808DP-T1-GE3
Beskrivning
MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 25 V 20 A (Tc) 29,8W (Tc) Ytmontering PowerPAK® SO-8
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Förpackning
Remsa och spole (TR)
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
25 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
20 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
8,9mOhm vid 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2,5V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
22.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
815 pF @ 12.5 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
29,8W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning
PowerPAK® SO-8
Inkapsling/låda
PowerPAK® SO-8
Basproduktens nummer
SIR808
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre.