Name: SIR410DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR410DP-T1-GE3TR-ND
Price: 19.6125 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SIR410DP-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SIR410DP-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SIR410DP-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) SIR410DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SIR410DP-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
Tillverkarens standardleveranstid	38 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 20 V 35 A (Tc) 4,2W (Ta), 36W (Tc) Ytmontering PowerPAK® SO-8
Datablad	Datablad

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 2,5V vid 250µA
Tillv. Vishay Siliconix	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max) ±20V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 10 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 4,2W (Ta), 36W (Tc)
FET-typ N-kanal	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 20 V	Leverantörens enhetsförpackning PowerPAK® SO-8
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 35 A (Tc)	Inkapsling/låda PowerPAK® SO-8
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Basproduktens nummer SIR410
Rds On (max) @ Id, Vgs 4,8mOhm vid 20A, 10V