Name: SIR410DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR410DP-T1-GE3TR-ND
Price: 19.0125 SEK
Availability: InStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

SIR410DP-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SIR410DP-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SIR410DP-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) SIR410DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SIR410DP-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
Tillverkarens standardleveranstid	24 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 20 V 35 A (Tc) 4,2W (Ta), 36W (Tc) Ytmontering PowerPAK® SO-8
Datablad	Datablad

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	20 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	35 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	4,8mOhm vid 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,5V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	41 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1600 pF @ 10 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	4,2W (Ta), 36W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PowerPAK® SO-8
Inkapsling/låda	PowerPAK® SO-8
Basproduktens nummer	SIR410

Enhetspris exkl. moms:	kr 15,21000
Enhetspris inkl. moms:	kr 19,01250

SIR410DP-T1-GE3