Name: SIJK5100E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJK5100E-T1-GE3TR-ND
Price: 79.9375 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SIJK5100E-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	742-SIJK5100E-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) 742-SIJK5100E-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) 742-SIJK5100E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SIJK5100E-T1-GE3
Beskrivning	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET
Tillverkarens standardleveranstid	55 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 100 V 74A (Ta), 417A (Tc) 17W (Ta), 536W (Tc) Ytmontering PowerPAK®10 x 12
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SIJK5100E-T1-GE3 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Rds On (max) @ Id, Vgs 1,4mOhm vid 80A, 10V
Tillv. Vishay Siliconix	Vgs(th) (Max) @ Id 4V vid 250µA
Serie TrenchFET®	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max) ±20V
Artikelstatus Aktiv	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 11480 pF @ 50 V
FET-typ N-kanal	Effektförlust (max) 17W (Ta), 536W (Tc)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Arbetstemperatur -55°C-175°C (TJ)
Drain till source-spänning (Vdss) 100 V	Monteringstyp Ytmontering
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 74A (Ta), 417A (Tc)	Leverantörens enhetsförpackning PowerPAK®10 x 12
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 7,5V, 10V	Inkapsling/låda 8-PowerBSFN