Name: SIJ4819DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJ4819DP-T1-GE3TR-ND
Price: 35.7875 SEK
Availability: InStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

SIJ4819DP-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	742-SIJ4819DP-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) 742-SIJ4819DP-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) 742-SIJ4819DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SIJ4819DP-T1-GE3
Beskrivning	P-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
Tillverkarens standardleveranstid	33 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 80 V 11,5A (Ta), 44,4A (Tc) 5W (Ta), 73,5W (Tc) Ytmontering PowerPAK® SO-8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SIJ4819DP-T1-GE3 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	P-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	80 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	11,5A (Ta), 44,4A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	20,7mOhm vid 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,6V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	65 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	3420 pF @ 40 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	5W (Ta), 73,5W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PowerPAK® SO-8
Inkapsling/låda	PowerPAK® SO-8

Enhetspris exkl. moms:	kr 28,63000
Enhetspris inkl. moms:	kr 35,78750

SIJ4819DP-T1-GE3