Name: SIJ4819DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJ4819DP-T1-GE3TR-ND
Price: 36.95 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SIJ4819DP-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	742-SIJ4819DP-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) 742-SIJ4819DP-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) 742-SIJ4819DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SIJ4819DP-T1-GE3
Beskrivning	P-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
Tillverkarens standardleveranstid	55 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 80 V 11,5A (Ta), 44,4A (Tc) 5W (Ta), 73,5W (Tc) Ytmontering PowerPAK® SO-8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SIJ4819DP-T1-GE3 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Rds On (max) @ Id, Vgs 20,7mOhm vid 10A, 10V
Tillv. Vishay Siliconix	Vgs(th) (Max) @ Id 2,6V vid 250µA
Serie TrenchFET®	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max) ±20V
Artikelstatus Aktiv	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 3420 pF @ 40 V
FET-typ P-kanal	Effektförlust (max) 5W (Ta), 73,5W (Tc)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Drain till source-spänning (Vdss) 80 V	Monteringstyp Ytmontering
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 11,5A (Ta), 44,4A (Tc)	Leverantörens enhetsförpackning PowerPAK® SO-8
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Inkapsling/låda PowerPAK® SO-8